Preparasi elektrolitik lapis tipisCu2O pada permukaan karbon melalui variasi kuat arus

Abstract

Material semikonduktor Cu20 berbentuk lapis tipis pada permukaan substrat tertentu dapat dimanfaatkan sebagai bahan katalis, bahan balm pewarna peralatan gelas dan keramik, dan cat anti karat. Lapis tipis Cu20 dapat dibuat dengan cara fisis kimiawi maupun elektrokimiawi. Penelitian sebelumnya melaporkan bahwa metode elektrokimiawi memberikan hasil cukup memuaskan untuk preparasi lapis tipis Cu20. Akan tetapi, hasil penelitian mengenai pengaruh kuat arus terhadap kristalinitas endapan Cu20 tidak dilaporkan, sehingga preparasi lapis tipis Cu20 dengan metode elektrokimiawi dilakukan melalui penelitian ini. Tujuan dari penelitian ini untuk mendapatkan lapis tipis Cu20 serta menentukan hubungan antara kristalinitas endapan Cu20 dengan kuat arus. Pengendapan dilakukan di bawah variasi kuat arus yaitu 0,05; 0,10; 0,15; 0,20; dan 0,25 A selama 1 jam pada potensial terpasang 1,5 volt. Lapis tipis yang diperoleh dianalisis secara kualitatif dari penampilan fisik permukaan endapan yang menempel pada katode menggunakan foto mikroskop serta uji difraksi sinar—X (X—Ray Diffraction, XRD). Difraktogram sinar—X dengan nilai d 2,13; 1,74; 1,42; 1,35; 1,29; dan 1,23 A menunjukkan bahwa endapan yang terbentuk adalah Cu20. Kristalinitas endapan yang terbentuk pada permukaan katode dipengaruhi oleh kuat ants. Pada kuat ants 0,25 A, endapan yang terbentuk tidak seragam. The Cu2O semiconductor material as thin layer on a substrate surface has been used as a catalyst, raw materials for coloured glass and chine, and against of rust. Cu2O thin layer can be made by chemical and electrochemical deposition method. The last research reported a good result of Cu2O deposition as thin layer by electrochemical method. The effect of current to the crystallinity wasn't reported, so the preparation of Cu2O as thin layer by this method was done in this research. The aims of this experiment are to get the Cu2O thin layer and determining the effect of current to the crystallinity of Cu2O. Electrochemical deposition has been carried out under the current variation that are 0.05; 0.10; 0.15; 0.20; and 0.25 A. The external potential of 1.5 volt were constantly operated during the deposition process. The thin layer deposit was qualitative analyzed by microscope and it was characterized by X—Ray Diffraction (XRD) method. The X—Ray diffractogram with d point 2.13; 1.74; 1.42; 1.35; 1.29; and 1.23 A as well as deposit colour give strong indication that the deposit was really Cu2O. The crystallinity of deposit on cathode surface was influenced by current. The deposit wasn't similar in the current 0.25 A. This document is Undip Institutional Repository Collection. The author(s) or copyright owner(s) agree that UNDI