Pembuatan Dioda Semi Konduktor Isolator Logam (SIL) dengan jenis logam Al, Ag, Cu sebagai Kontaknya

Abstract

Pembuatan dioda S1L (Semikonduktor Isolator Logam) telah dilakukan, untuk dipelajari karakteristik arus tegangan (I-V) dan hasilnya dibandingkan dengan karakteristik arus tegangan (I-V) dioda persambungan p-n dan dioda Schottky. Komposisi dioda ini terdiri dari logam Ag (Perak), Cu (Tembaga), Al (Alumunium) sebagai elektroda, bahan organik Toluena sebagai Isolator, silikon tipe-n atau tipe-p sebagai Semikonduktor dan 16gatn Al (Alumunium) sebagai kontak ohmik. Dioda SIL yang telah dibuat . adalah Ag/ToluenalSi-n/A1, Cu/Toluena/Si-n/AI, Al/Toluena/Si-n/AI, . Ag/Toluena/Si-p/AI, Cu/Toluena/Si-p/A1 dan Al/Toluena/Si¬p/Al. Metode polimerisasi plasma untuk pendeposisian isolator dan metode evaporasi hampa untuk pelapisan logam telah digunakan pada pembuatan dioda SIL ini. Untuk semikonduktor :tipe p, karakteristik anus tegangan (I-V) dioda SIL menghasilkan tegangan potorig-masuk (cut-in voltage) antara 0,8 — 1,0 volt dan tegangan dadal (breakdown voltage) antara 120 — 180 volt. Untuk semikonduktor tipe n, karakteristik arus tegangan (I-V) dioda SIL menghasilkan tegangan potong masuk (cut-in voltage) antara 1,1 — 1,3 volt dan tegangan dadal (breakdown voltage) antara 200 — 240 volt. Tegangan potong-masuk (cut-in voltage) dan tegangan dadal (breakdown voltage).yang dibasilkan dioda SIL dengan silikon tipe n lebih besar dari dioda persambungan p-n, dioda Schottky dan dioda SIL dengan silikon tipe p. xv This' document is Undip Institutional Repository Collection. The aLithor(s) or copyright owner(s) agree that UNDIP-IR may, without changing the content, translate the subirnission to any medium or format for the purpose:of preservation: The author(s) or copyright owner(s) also agree that UNDIP-IR may keep more than one copy of this ission for purposes of security, back-up and preseirvation. ( httpWeprints.undip.ac.id)