Pembuatan dan penentuan resistivitas Silikon Amorf Terhidrogenasi (a.Si:H)

Abstract

Telah dilakukan pembuatan bahan unggulan silikon amorf terhidrogenasi (a¬Si:H) dengan metode evaporasi, dilanjutkan deposisi H2 dengan plasma lucutan pijar. Bahan a-Si:H mempunyai sifat yang hampir sama dengan silikon jenis kristal. Kelemahan silikon amcaf adalah ananya, tangan-tangan kosong yang menyebabkan berkurangnya sifat konduksi listrik. Salah sate cara untuk merubah sifat bahan a-Si adalah dengan medeposisikan atom-atom H ke dalamnya Pembuatan a-Si:H dengan metode evaporasi digunakan untuk rnembuat lapisan tipis a-Si,sedangkan pendeposisisan atom-atom hidrogen ke dalam lapisan tipis a-Si dengan menggunakan metode plasma lucutan pijar RE pada frekuensi 13,56 MHz-, laju aliran gas H2 0,1 ccidt; dare lama deposisi 1 jam. Suhu pemanas substrat divariasi dari 50°C - 300°C dengan daya RF 40 W. Dilakukan pula variasi daya RF dari 20 W - 50 W, dengan suhu substrat 300° C. Proses mil dilakukan pada sampel yang dibuat dengan daya RF 50 W, suhu substrat 300° C, dengan variasi suhu anil dari 100 °C 400°C. Variasi suhu substrat pada proses hidrogenasi menghasilkan lapisan tipis a¬Si:H dengan resistivitas terendah pada suhu 300° C sebesar (3,191± 0,018) x105 Ocm. tint& variasi daya RF diperoleh resistivitas a-Si:H terendah pada daya 50 watt, yaitu sebesar (2.037 ± 0,012) x 105 Qcm. Pada variasi suhu anil, resistivitas a-Si:H terendah pada suhu anil 400° C adalah sebesar (7,360 ± 0,050) x 104 Ocm. Dari ketiga variasi tersebut menunjukkan bahwa resistivitas terendah diperoleh dari sampel yang mengalami proses anil pada suhu anil 400° C. The making of superior material of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) with evaporation method, continued deposition of 11.2 with glow discharge plasma have been done. The material of a-Si:H has almost the same characteristic with crystalline silicon. The wealmess of amorphous silicon is there is an dangling bound that caused subtraction of the characteristic electric conduction The making of a-Si:H with evaporation method is needed to make a thin layer of a-Si, while depositioning atoms of hidrogen into thin layer of a-Si with using of RF glow discharge plasma at 13,56.Mhz of frequency; hidrogen gas flow 0,1 cc/sec; and depositioning time is an hour. Temperature of substrate heater is variated from 50° C up to 300 °C with RF power 40 W. Varying of RF power from 20 W up to 50 W with substrate temperature of 300°C, is done too. The annealing process on sample made with RF power 50 W, substrate temperature 300°C,with variation of annealing temperature from 100°C up to 400°C. Variation of substrate temperature on hidrogenization yield the thin layer of a- with lowest resistivity (3,191 ± 0,018)x 105 Qcm on temperature 300 ° C. For variation ofRF power is obtained lowest a-Si:H resistivity on RF power 50 W, that is (2,037 ± 0,012)x 105 acm. Variation of annealing temperature, result lowest a-Si:H resistivity on annealing temperature 400 ° C, is (7,360 ± 0,050)x 104 Qcm. From the three variation above, show that the lowest resistivity _is obtained from sample perfomed annealing process on annealing temperature 400°C.