Penentuan konsentrasi pembawa muatan pada semikonduktor (Sib dan Sip) dengan metode Effek Hall

R I y a d , R I y a d (1997) Penentuan konsentrasi pembawa muatan pada semikonduktor (Sib dan Sip) dengan metode Effek Hall. Undergraduate thesis, FMIPA UNDIP.

[img]PDF
Restricted to Repository staff only

2014Kb
[img]
Preview
PDF
17Kb
[img]
Preview
PDF
334Kb
[img]
Preview
PDF
423Kb
[img]
Preview
PDF
427Kb
[img]
Preview
PDF
718Kb
[img]
Preview
PDF
529Kb
[img]PDF
Restricted to Repository staff only

701Kb
[img]
Preview
PDF
339Kb
[img]
Preview
PDF
342Kb
[img]
Preview
PDF
512Kb

Abstract

Telah dilakukan penelitian terhadap silikon tipe-n (SiP) dan silikon tipe-p (SiB) guna menentukan konsentrasi dan jenis pembawa mayoritas pembawa muatan dari bahan tersebut dengan metode Effek Hall. Dengan variasi arcs dan medan magnet pada suhu 29° C. Didapat untuk silikon tipe-n, pembwa muatan adalah elekron dengan konsentrsi 3,54 + 0,25 1 020 elektron/m2 sedangkan untuk silikon tipe-p mayoritas pembawa muatan adalah lubang dengan konsentrasi 1,91 + 0,17 1020 lubang/m2 There was two a n - type silicon ( SiP ) and p - type silicon ( SiB ) research to determine the concentration and kind of charge carrier of that sample using the Hall effect method; with variation in current and magnetic field, 29° C. For the n - type silicon it was discovered that the majority of charge carrier with 3,54 + 0,25 1020 elektron/m2 in concentration and for p - type majority charge carrier were holes with 1,91 + 0,17 102' hole/m2

Item Type:Thesis (Undergraduate)
Subjects:Q Science > QC Physics
Divisions:Faculty of Science and Mathematics > Department of Physics
ID Code:30385
Deposited By:Mr UPT Perpus 1
Deposited On:28 Oct 2011 08:40
Last Modified:28 Oct 2011 08:40

Repository Staff Only: item control page