Penentuan konsentrasi pembawa muatan pada semikonduktor (Sib dan Sip) dengan metode Effek Hall

Abstract

Telah dilakukan penelitian terhadap silikon tipe-n (SiP) dan silikon tipe-p (SiB) guna menentukan konsentrasi dan jenis pembawa mayoritas pembawa muatan dari bahan tersebut dengan metode Effek Hall. Dengan variasi arcs dan medan magnet pada suhu 29° C. Didapat untuk silikon tipe-n, pembwa muatan adalah elekron dengan konsentrsi 3,54 + 0,25 1 020 elektron/m2 sedangkan untuk silikon tipe-p mayoritas pembawa muatan adalah lubang dengan konsentrasi 1,91 + 0,17 1020 lubang/m2 There was two a n - type silicon ( SiP ) and p - type silicon ( SiB ) research to determine the concentration and kind of charge carrier of that sample using the Hall effect method; with variation in current and magnetic field, 29° C. For the n - type silicon it was discovered that the majority of charge carrier with 3,54 + 0,25 1020 elektron/m2 in concentration and for p - type majority charge carrier were holes with 1,91 + 0,17 102' hole/m2