Pembuatan dan karakteristik silikon amorf terhidrogenisasi (Si:H)

Abstract

Telah dibuat Silikon Amorf Terhidrogenisasi (a-Si:H) dengan metode evaprasi dan hidrogenisasi sist em simultan pada tekanan 2x10 Torr, suhu substrat 200°C, jarak substrat 2,6 cm, Rf 13,56 Mhz, tegangan penarik ion 700 volt dan waktu pelapisan 2 menit. Untuk memperbaiki struktur a-Si:H dilakukan proses anil, sehingga strukturnya akan menjadi lebih rapih yang ditunjukkan dengan menghilangnya noise dan menurunnya absorbsi dari uji spektrofotometer UV-VIS. Spe-1ktra serapan infra merah pada bilangan gelombang 2340 1 cM dan 666 cm diidentifikasikan sebagai vibrasi regang Si-H dan vibrasi goyangan atau vibrasitekukan Si-H,1Untuk bilangan gelombang 1540 cm , 1418 cm dan 1050 cm diidentifikasikan sebagai vibrasi regang C-0, vibrasi tekukan C-H dan vibrasi regang Si-0. Dengan uji difraksi sinar X terbukti bahwa a-Si:H yang dihasilkan mempunyai struktur amorf. Amorphous silicon hydroginated (a-Si:H) has been produced by evaporation methodmsand simultaneous system hydrogej nation on vaccum 2x10 Torr, substrate temperature 200 C, subtrate distance 2,6 cm, RF source 13,56 Mhz, elektroda ion voltage pulling 700 Volt, and coating time 2 minute. To repaired a-Si:H structure is done againts anealling-so that its structure will be more tidy which shown noise disappear and absorption descend of UV-VIS spektrofo tometer test. - Absorban spectra of infra-red on wave number: 2340 cm 1 -1 and 666 cm are identified as a stretching vibration Si-H and rocking vibration Si-H , Si-H or bending 2 3 vibration Si--H ' for wave number 1540 cm-1 , 1418 cm and 4 1050 cm are identified as a stretching vibration C-0, bending vibration C-H and stretching vibration Si-O. With X-ray difraction test shown a-Si:H that has produced is amorphous structure.