Desain dan proses pembuatan transistor bipoler NPN dengan metoda difusi

Abstract

Transistor bipolar npn merupakan salcth satu komponen aktif dari sejumlah devais. Pada kesempatan ini komponen (transistor) yang diinginkan ditekankan untuk memperoleh penguatan anus ((3) sebesar 80. Dengan sejumlah perhitungan yang ada dan dibantu grafik-grafik dibuat (diproses) transistor bipolar npn, disamping itu perhitungan proses disimulasikan dengan simulasi proses SUPREM II. Hasil pengukuran yang diperoleh dari proses culatp nierauaskan terlihat dari rata-rata pengukuran p transistor yang diproses. ABSTRACT Bipolar junction transistor npn is active component of several devices. This paper described a transistor be wanted to get current gain ((3) 80. Processed bipolar junction transistor npn using the calculation and several graphical derived by reference, inside trying simulation proces with SUPREM II. Result of the processing could be satisfied, it seem from the measurement of p mean transistors .