Pengaruh Laju Aliran Gas N2 Terhadap Sifat Optik Film Tipis GaN yang Ditumbuhkan Dengan Teknik Pulsed Laser Deposition (PLD)

Abstract

Telah ditumbuhkan film tipis GaN (Galium Nitrida) di atas substrat sapphire (0001) dengan teknik Pulsed Laser Deposition (PLD). Terget bulk GaN diiradiasi dengan laser pulsa Nd:YAG dengan laju repetisi 10 pulsa/detik. Deposisi dilakukan pada suhu 7000C, sedangkan laju aliran N2 divariasikan dari 0 hingga 150 sccm. Film tipis yang dihasilkan memberikan struktur kristal tunggal dengan orientasi (0002) dan (0004) yang menunjukkan struktur heksagonal. Dari spektroskopi UV-Vis diperoleh transmisi optik berturut-turut : 82%, 60% dan 75%, dan nilai Eg masing-masing : 3,55 eV, 3,62 eV dan 3,65 eV.